NTMD6N02R2G

ON | 場(chǎng)效應(yīng)管陣列

制造廠商：ON（安森美）

功能簡(jiǎn)述：MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

原廠封裝：8-SOIC

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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTMD6N02R2G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

系列：-

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.92A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 6A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 16V

功率 - 最大值：730mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N

耐智電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的NTMD6N02R2G供應(yīng)商

NTMD6N02R2G供應(yīng)商-耐智電子

單路晶體管(BJT)

場(chǎng)效應(yīng)管陣列

線性穩(wěn)壓器芯片

單路晶體管(BJT)

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