NTMD6P02R2G

ON | 場效應管陣列

制造廠商：ON（安森美）

功能簡述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

原廠封裝：8-SOIC

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ON安森美半導體完整型號：NTMD6P02R2G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

系列：-

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4.8A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 6.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 16V

功率 - 最大值：750mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N

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NTMD6P02R2G供應商-耐智電子

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FET - 單

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