HAT2160N-EL-E

Renesas | 單端場效應管

制造廠商：Renesas（瑞薩）

功能簡述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI

原廠封裝：8-LFPAK-iV

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Renesas瑞薩完整型號：HAT2160N-EL-E

制造廠家名稱：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：60A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.1 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7600pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）

供應商器件封裝：8-LFPAK-iV

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HAT2160N-EL-E供應商-耐智電子

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