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NE5550779A-T1-A

Renesas | RF FET

制造廠商：Renesas（瑞薩）

功能簡述：IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG

原廠封裝：4-SMD

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下載NE5550779A-T1-A技術資料

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Renesas瑞薩完整型號: NE5550779A-T1-A

制造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）

功能總體簡述: IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG

系列: -

晶體管類型: LDMOS

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -

頻率: 900MHz

增益: 22dB

頻率 - 躍遷: -

噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: -

電壓 - 測試: 7.5V

額定電流: 2.1A

功率 - 最大值: -

噪聲系數: -

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -

電流 - 測試: 140mA

功率 - 輸出: 38.5dBm

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -

安裝類型: -

電壓 - 額定: 30V

封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線

供應商器件封裝:

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NE5550779A-T1-A供應商-耐智電子

Renesas

Renesas

固態繼電器

微控制器

微控制器

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