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RJK6006DPD-00#J2
Renesas | FET - 單
制造廠商:
Renesas
(瑞薩)
功能簡述:
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
原廠封裝:
TO-252-3,DPak
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Renesas瑞薩完整型號: RJK6006DPD-00#J2
制造廠家名稱: Renesas Electronics America
功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 5A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 1.6 歐姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 600pF @ 25V
功率 - 最大值: 77.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝: MP-3A
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RJK6006DPD-00#J2供應商-耐智電子
RJK6002DPD-00#J2
Renesas
RJK6022DJE-00#Z0
Renesas
2SK3288ENTL
單端場效應管
R5F563TEEDFA#V0
微控制器
DF36074LFZV
微控制器
UPG2430T6Z-EVAL-A
RF 評估和開發套件,板
RJK6006DPD-00#J2
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