STB11NM60FDT4

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

原廠封裝：D2PAK

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ST意法半導體公司完整型號：STB11NM60FDT4

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

系列：FDmesh?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 25V

功率 - 最大值：160W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK

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STB11NM60FDT4供應商-耐智電子

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