STB12NM60N-1

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

原廠封裝：I2PAK

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ST意法半導體公司完整型號：STB12NM60N-1

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

系列：MDmesh II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：410 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：960pF @ 50V

功率 - 最大值：90W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：I2PAK

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STB12NM60N-1供應商-耐智電子

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