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STB25NM60N-1

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

原廠封裝：I2PAK

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ST意法半導體公司完整型號：STB25NM60N-1

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

系列：MDmesh II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：160 毫歐 @ 10.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：84nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2400pF @ 50V

功率 - 最大值：160W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：I2PAK

耐智電子是國內領先的STB25NM60N-1供應商

STB25NM60N-1供應商-耐智電子

穩流-電流管理

音頻放大器芯片

評估和演示板和套件

雙向可控硅

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