STB28N65M2

ST | FET - 單

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

原廠封裝：TO-263-3，D2Pak

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ST意法半導體公司完整型號: STB28N65M2

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

系列: MDmesh M2

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 20A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 180 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 35nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1440pF @ 100V

功率 - 最大值: 170W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝: D2PAK

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