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STD11N65M2

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

原廠封裝：DPAK

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ST意法半導體公司完整型號：STD11N65M2

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

系列：MDmesh II Plus

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：670 毫歐 @ 3.5A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：410pF @ 100V

功率 - 最大值：85W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：DPAK

耐智電子是國內領先的STD11N65M2供應商

STD11N65M2供應商-耐智電子

單路晶體管(BJT)

單端場效應管

驅動器，接收器，收發器芯片

線性穩壓器芯片

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