STD13NM60N

ST | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

原廠封裝：D-Pak

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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STD13NM60N

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

系列：MDmesh II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：790pF @ 50V

功率 - 最大值：90W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的STD13NM60N供應(yīng)商

STD13NM60N供應(yīng)商-耐智電子

存儲器芯片

音頻放大器芯片

評估和演示板和套件

雙向可控硅

STD13NM60N是ST意法半導(dǎo)體公司的一款產(chǎn)品，ST代理商耐智電子全程提供STD13NM60N現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的STD13NM60N供應(yīng)商。

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