STF11N65K3

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP

原廠封裝：TO-220FP

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ST意法半導體公司完整型號：STF11N65K3

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP

系列：SuperMESH3?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 3.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1180pF @ 50V

功率 - 最大值：35W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：TO-220FP

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STF11N65K3供應商-耐智電子

評估和演示板和套件

雙向可控硅

單端場效應管

單路IGBT

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