STL16N65M5

ST | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT

原廠封裝：PowerFlat

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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STL16N65M5

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT

系列：MDmesh V

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：299 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 100V

功率 - 最大值：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-PowerFlat HV

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat （8x8） HV

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STL16N65M5供應(yīng)商-耐智電子

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