STL20DN10F7

ST | 場效應管陣列

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56

原廠封裝：PowerFlat

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ST意法半導體公司完整型號：STL20DN10F7

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 5A POWERFLAT56

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：20A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 2.5A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：408pF @ 50V

功率 - 最大值：62.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應商器件封裝：PowerFlat（5x6）

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STL20DN10F7供應商-耐智電子

雙向可控硅

單端場效應管

單路IGBT

線性穩壓器芯片

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