STL26NM60N

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

原廠封裝：PowerFlat

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ST意法半導體公司完整型號：STL26NM60N

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

系列：MDmesh II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.7A（Ta），19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：185 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 50V

功率 - 最大值：125mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-PowerFlat HV

供應商器件封裝：PowerFlat （8x8） HV

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STL26NM60N供應商-耐智電子

二極管，整流器陣列

二極管TVS

配電開關，負載驅動器芯片

微控制器

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