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STL8DN6LF3

ST | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

原廠封裝：PowerFlat

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ST意法半導體公司完整型號：STL8DN6LF3

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

系列：STripFET? III

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：668pF @ 25V

功率 - 最大值：65W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat（5x6）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的STL8DN6LF3供應(yīng)商

STL8DN6LF3供應(yīng)商-耐智電子

IGBT - 單路

線性穩(wěn)壓器芯片

運算放大器，緩沖放大器芯片

微控制器

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