STP11NM65N

ST | 單端場(chǎng)效應(yīng)管

制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）

功能簡(jiǎn)述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

原廠封裝：TO-220

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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：STP11NM65N

制造廠家名稱(chēng)：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

系列：MDmesh II

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：455 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 50V

功率 - 最大值：110W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220

耐智電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的STP11NM65N供應(yīng)商

STP11NM65N供應(yīng)商-耐智電子

線性穩(wěn)壓器芯片

運(yùn)算放大器，緩沖放大器芯片

微控制器

配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器芯片

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