STP26NM60ND

ST | 單端場效應管

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 21A TO220

原廠封裝：TO-220

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ST意法半導體公司完整型號：STP26NM60ND

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 21A TO220

系列：FDmesh? II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 10.5A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：54.6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1817pF @ 100V

功率 - 最大值：190W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220

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STP26NM60ND供應商-耐智電子

穩(wěn)流-電流管理

音頻放大器芯片

評估和演示板和套件

雙向可控硅

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