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STS10DN3LH5

ST | 場效應管陣列

制造廠商：ST（意法半導體）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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ST意法半導體公司完整型號：STS10DN3LH5

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

系列：STripFET? V

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.6nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：475pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

耐智電子是國內領先的STS10DN3LH5供應商

STS10DN3LH5供應商-耐智電子

二極管TVS

混合技術TVS

評估和演示板和套件

監控器芯片

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