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CSD19531Q5AT

TI | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：TI（德州儀器）

功能簡述：MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

原廠封裝：8-VSON

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TI德州儀器公司完整型號：CSD19531Q5AT

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：6.4 毫歐 @ 16A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3870pF @ 50V

功率 - 最大值：3.3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：8-VSON （5x6）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的CSD19531Q5AT供應(yīng)商

CSD19531Q5AT供應(yīng)商-耐智電子

線性穩(wěn)壓器芯片

模擬前端（AFE）

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監(jiān)控器芯片

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