CSD25304W1015T

TI | 單端場效應管

制造廠商：TI（德州儀器）

功能簡述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

原廠封裝：6-DSBGA

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TI德州儀器公司完整型號：CSD25304W1015T

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32.5 毫歐 @ 1.5A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：595pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UFBGA，DSBGA

供應商器件封裝：6-DSBGA

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CSD25304W1015T供應商-耐智電子

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