2SJ360(TE12L,F)

Toshiba | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Toshiba（東芝半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

原廠封裝：PW-MINI

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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：2SJ360(TE12L,F)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：730 毫歐 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：155pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商器件封裝：PW-MINI

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的2SJ360(TE12L,F)供應(yīng)商

2SJ360(TE12L,F)供應(yīng)商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

單端場效應(yīng)管

陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管

柵極和逆變器芯片

單端場效應(yīng)管

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