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東芝半導體公司完整型號:GT10G131(TE12L,Q)制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC系列:-IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):-Current - Collector Pulsed (Icm):200A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 4V, 200A功率 - 最大值:1WSwitching Energy:-輸入類型:標準Gate Charge:-25°C 時 Td(開/關)值:3.1μs/2μsTest Condition:-反向恢復時間 (trr):-封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)耐智電子是國內領先的GT10G131(TE12L,Q)供應商