RN1130MFV(TL3,T)

Toshiba | 單路﹐預偏壓式晶體管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

原廠封裝：VESM

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東芝半導體公司完整型號：RN1130MFV(TL3,T)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：100k

電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：100k

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值）：500nA

頻率 - 躍遷：250MHz

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商器件封裝：VESM

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RN1130MFV(TL3,T)供應商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

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