SSM3K35MFV(TPL3)

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM

原廠封裝：VESM

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東芝半導體公司完整型號：SSM3K35MFV(TPL3)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 50mA，4V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商器件封裝：VESM

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SSM3K35MFV(TPL3)供應商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

陣列﹐預偏壓式晶體管

柵極和逆變器

單端場效應管

單路﹐預偏壓式晶體管

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