SSM6J503NU,LF(T

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

原廠封裝：6-UDFN

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東芝半導體公司完整型號：SSM6J503NU,LF(T

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32.4 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12.8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：840pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-UDFN （2x2）

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SSM6J503NU,LF(T供應商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

場效應管陣列

陣列﹐預偏壓式晶體管

柵極和逆變器芯片

單端場效應管

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