SSM6N35FE,LM

Toshiba | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：Toshiba（東芝半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

原廠封裝：ES6

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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM6N35FE,LM

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：180mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 50mA，4V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）

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SSM6N35FE,LM供應(yīng)商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

晶體管，光電輸出光隔離器

緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器芯片

單端場效應(yīng)管

晶體管陣列

SSM6N35FE,LM是Toshiba東芝半導(dǎo)體公司的一款產(chǎn)品，Toshiba代理商耐智電子全程提供SSM6N35FE,LM現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的SSM6N35FE,LM供應(yīng)商。

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