SSM6N55NU,LF(T

Toshiba | 場效應管陣列

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

原廠封裝：6-μDFN

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東芝半導體公司完整型號：SSM6N55NU,LF(T

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 4A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：280pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-μDFN（2x2）

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SSM6N55NU,LF(T供應商-耐智電子

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