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TJ11A10M3,S5Q(M
Toshiba | FET - 單
制造廠商:
Toshiba
(東芝半導體)
功能簡述:
MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
原廠封裝:
TO-220-3
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東芝半導體公司完整型號: TJ11A10M3,S5Q(M
制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 11A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 130 毫歐 @ 5.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 69nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 3200pF @ 10V
功率 - 最大值: 24W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應商器件封裝: TO-220SIS
耐智電子是國內領先的TJ11A10M3,S5Q(M供應商
TJ11A10M3,S5Q(M供應商-耐智電子
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Toshiba
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電機, 電橋式驅動器芯片
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單端場效應管
TJ11A10M3,S5Q(M
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