TK12A55D(STA4,Q,M)

Toshiba | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Toshiba（東芝半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

原廠封裝：TO-220SIS

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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TK12A55D(STA4,Q,M)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：550V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：570 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1550pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的TK12A55D(STA4,Q,M)供應(yīng)商

TK12A55D(STA4,Q,M)供應(yīng)商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

單端場效應(yīng)管

陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管

柵極和逆變器芯片

單端場效應(yīng)管

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