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TK32E12N1,S1X
Toshiba | 單端場效應管
制造廠商:
Toshiba
(東芝半導體)
功能簡述:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
原廠封裝:
TO-220
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下載TK32E12N1,S1X技術資料
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東芝半導體公司完整型號:TK32E12N1,S1X
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 120V 60A TO-220
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):120V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):60A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):13.8 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):34nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2000pF @ 60V
功率 - 最大值:98W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商器件封裝:TO-220
耐智電子是國內領先的TK32E12N1,S1X供應商
TK32E12N1,S1X供應商-耐智電子
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TK32E12N1,S1X
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