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TK39J60W,S1VQ代理

TK39J60W,S1VQ

Toshiba | 單端場效應管
制造廠商：Toshiba（東芝半導體）
功能簡述：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
原廠封裝：TO-3P
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  • 東芝半導體公司完整型號：TK39J60W,S1VQ
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
  • 系列：-
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：超級結
  • 漏源極電壓 (Vdss)：600V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：38.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 19.4A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：110nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4100pF @ 300V
  • 功率 - 最大值：270W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供應商器件封裝：TO-3P（N）
  • 耐智電子是國內領先的TK39J60W,S1VQ供應商
    • TK39J60W,S1VQ供應商-耐智電子
  • Toshiba
    TK20C60W,S1VQ
  • Toshiba
    TK12Q60W,S1VQ
  • 陣列﹐預偏壓式晶體管
    RN4987T5LFT
  • 柵極和逆變器芯片
    TC7WHU04FUTE12LF
  • 單端場效應管
    TK35E08N1,S1X
  • 單路﹐預偏壓式晶體管
    RN2115MFV(TPL3)
    • TK39J60W,S1VQ是Toshiba東芝半導體公司的一款產品，Toshiba代理商耐智電子全程提供TK39J60W,S1VQ現貨支持、優勢價格、充足貨源，是國內領先的TK39J60W,S1VQ供應商。

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