TK40E10N1,S1X

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N CH 100V 90A TO220

原廠封裝：TO-220-3

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東芝半導體公司完整型號：TK40E10N1,S1X

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 100V 90A TO220

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：90A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3000pF @ 50V

功率 - 最大值：126W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220-3

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TK40E10N1,S1X供應商-耐智電子

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