TK50P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

原廠封裝：DP

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東芝半導體公司完整型號：TK50P04M1(T6RSS-Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：50A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.7 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 10V

功率 - 最大值：60W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：DP

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TK50P04M1(T6RSS-Q)供應商-耐智電子

Toshiba

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單端場效應管

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