TK6A80E,S4X

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET N-CH 800V TO220SIS

原廠封裝：TO-220SIS

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東芝半導體公司完整型號：TK6A80E,S4X

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 800V TO220SIS

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：800V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.7 歐姆 @ 3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 600μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：32nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：TO-220SIS

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TK6A80E,S4X供應商-耐智電子

Toshiba

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單路晶體管(BJT)

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單路﹐預偏壓式晶體管

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