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TK90S06N1L,LQ

Toshiba | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Toshiba（東芝半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

原廠封裝：TO-252-3

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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TK90S06N1L,LQ

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：90A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.3 毫歐 @ 45A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：81nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5400pF @ 10V

功率 - 最大值：157W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的TK90S06N1L,LQ供應(yīng)商

TK90S06N1L,LQ供應(yīng)商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

單路晶體管(BJT)

柵極和逆變器

單端場效應(yīng)管

單路﹐預(yù)偏壓式晶體管

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