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TPC8123(TE12L,Q,M)

Toshiba | 單端場效應管

制造廠商：Toshiba（東芝半導體）

功能簡述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

原廠封裝：8-SOP

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東芝半導體公司完整型號：TPC8123(TE12L,Q,M)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：68nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2940pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

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TPC8123(TE12L,Q,M)供應商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

晶體管陣列

存儲器芯片

單端場效應管

陣列﹐預偏壓式晶體管

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