TPN1110ENH,L1Q

Toshiba | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Toshiba（東芝半導(dǎo)體）

功能簡述：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

原廠封裝：8-TSON高級

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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPN1110ENH,L1Q

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：7.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：114 毫歐 @ 3.6A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 100V

功率 - 最大值：39W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的TPN1110ENH,L1Q供應(yīng)商

TPN1110ENH,L1Q供應(yīng)商-耐智電子

Toshiba

Toshiba

單端場效應(yīng)管

晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式

電機(jī), 電橋式驅(qū)動器芯片

單端場效應(yīng)管

TPN1110ENH,L1Q是Toshiba東芝半導(dǎo)體公司的一款產(chǎn)品，Toshiba代理商耐智電子全程提供TPN1110ENH,L1Q現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的TPN1110ENH,L1Q供應(yīng)商。

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