IRFBE30L

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

原廠封裝：I2PAK

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Vishay威世半導體原廠型號：IRFBE30L

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：800V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：78nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：I2PAK

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IRFBE30L供應商-耐智電子

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