SI1051X-T1-GE3

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

原廠封裝：SC-89-6

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Vishay威世半導體原廠型號：SI1051X-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：122 毫歐 @ 1.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9.45nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：560pF @ 4V

功率 - 最大值：236mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商器件封裝：SC-89-6

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SI1051X-T1-GE3供應商-耐智電子

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