SI3588DV-T1-E3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

原廠封裝：6-TSOP

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Vishay威世半導體原廠型號：SI3588DV-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

系列：TrenchFET

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.5A，570mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：830mW， 83mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

供應商器件封裝：6-TSOP

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SI3588DV-T1-E3供應商-耐智電子

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