SI4666DY-T1-GE3

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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Vishay威世半導體原廠型號：SI4666DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：16.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1145pF @ 10V

功率 - 最大值：5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

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SI4666DY-T1-GE3供應商-耐智電子

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單端場效應管

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