SI4910DY-T1-E3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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Vishay威世半導體原廠型號：SI4910DY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：27 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：32nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：855pF @ 20V

功率 - 最大值：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

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SI4910DY-T1-E3供應商-耐智電子

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