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SI4931DY-T1-GE3
Vishay | 場效應管陣列
制造廠商:
Vishay
(威世)
功能簡述:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
原廠封裝:
8-SO
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下載SI4931DY-T1-GE3技術資料
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Vishay威世半導體原廠型號:SI4931DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
系列:TrenchFET
FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):6.7A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 8.9A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 350μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):52nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SO
耐智電子是國內領先的SI4931DY-T1-GE3供應商
SI4931DY-T1-GE3供應商-耐智電子
SI4953ADY-T1-GE3
Vishay
SI4936ADY-T1-GE3
Vishay
CNY17F-3X019
晶體管,光電輸出光隔離器
SI3430DV-T1-GE3
單端場效應管
BZW04-7V8BHE3/54
二極管TVS
SA28CHE3/73
二極管TVS
SI4931DY-T1-GE3
是Vishay威世公司的一款產品,Vishay代理商耐智電子全程提供SI4931DY-T1-GE3現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的SI4931DY-T1-GE3供應商。
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