SI4967DY-T1-E3

Vishay | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

原廠封裝：8-SO

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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI4967DY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 7.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO

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SI4967DY-T1-E3供應(yīng)商-耐智電子

Vishay

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二極管TVS

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晶體管，光電輸出光隔離器

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