SI4972DY-T1-GE3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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Vishay威世半導體原廠型號：SI4972DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.8A，7.2A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.5 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1080pF @ 15V

功率 - 最大值：3.1W，2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO

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SI4972DY-T1-GE3供應商-耐智電子

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