SI5414DC-T1-GE3

Vishay | 單端場效應管

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

原廠封裝：1206-8

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Vishay威世半導體原廠型號：SI5414DC-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 9.9A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：41nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 10V

功率 - 最大值：6.3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應商器件封裝：1206-8 ChipFET

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SI5414DC-T1-GE3供應商-耐智電子

Vishay

Vishay

二極管TVS

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單個SCR

單端場效應管

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