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SI6467BDQ-T1-GE3
Vishay | 單端場效應管
制造廠商:
Vishay
(威世)
功能簡述:
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
原廠封裝:
8-TSSOP
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Vishay威世半導體原廠型號:SI6467BDQ-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):6.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 450μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):70nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.05W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝:8-TSSOP
耐智電子是國內領先的SI6467BDQ-T1-GE3供應商
SI6467BDQ-T1-GE3供應商-耐智電子
SI6466ADQ-T1-E3
Vishay
SI6465DQ-T1-GE3
Vishay
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P6KE27-E3/73
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SI6467BDQ-T1-GE3
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