SI7900AEDN-T1-E3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

原廠封裝：PowerPAK

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Vishay威世半導體原廠型號：SI7900AEDN-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

系列：TrenchFET

FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK 1212-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8 Dual

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SI7900AEDN-T1-E3供應商-耐智電子

Vishay

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