SI7980DP-T1-GE3

Vishay | 場效應管陣列

制造廠商：Vishay（威世）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

原廠封裝：PowerPAK

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Vishay威世半導體原廠型號：SI7980DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1010pF @ 10V

功率 - 最大值：19.8W，21.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual

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SI7980DP-T1-GE3供應商-耐智電子

Vishay

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